Trung Quốc hạt nano MoO3 Nhà sản xuất, Nhà cung cấp, Nhà máy

Ôxít nhôm nano là vật liệu được sử dụng rộng rãi, đặc biệt là trong lĩnh vực công nghệ nano, do các đặc tính hóa lý độc đáo của nó như diện tích bề mặt cao, độ ổn định nhiệt cao và hoạt tính xúc tác tuyệt vời. Tuy nhiên, tính chất bề mặt của oxit nhôm nano đóng một vai trò quan trọng trong hoạt động của nó trong nhiều ứng dụng. Do đó, việc biến đổi bề mặt của oxit nhôm nano là điều cần thiết để cải thiện tính chất của nó cho các ứng dụng cụ thể. Trong bài viết này, chúng tôi thảo luận về một trong những phương pháp biến đổi bề mặt hiệu quả của oxit nhôm nano, bao gồm việc sử dụng chất liên kết silane (KH-560).

Với kích thước chỉ bằng một phần nhỏ so với bột đồng truyền thống, bột đồng kim loại nano của chúng tôi có tỷ lệ diện tích bề mặt trên thể tích cực kỳ cao, khiến nó trở thành lựa chọn lý tưởng cho nhiều ứng dụng công nghiệp và công nghệ.

Công nghệ nano đã cách mạng hóa ngành công nghiệp vật liệu và sự ra đời của các hạt nano đã nâng cao hơn nữa khả năng của nó. Các hạt nano rất nhỏ nhưng chúng sở hữu những đặc tính độc đáo khác với các hạt nano có kích thước lớn. Có lẽ một trong những đặc điểm hấp dẫn nhất của hạt nano là khả năng thể hiện các đặc tính quang học của chúng. Trong bài viết này, chúng ta sẽ thảo luận về các hạt nano có đặc tính quang học và các ứng dụng tiềm năng của chúng. Tại SAT NANO, chúng tôi cung cấp các hạt nano chất lượng cao được sản xuất theo tiêu chuẩn cao nhất.

Hãy sử dụng một ví dụ để minh họa cách pha loãng hệ phân tán bạc nano: Giả sử bạn có một mẫu chứa chất phân tán nano bạc với nồng độ 100 mg/mL, bạn muốn pha loãng mẫu đó thành 10 mg/mL. Bạn đang chuẩn bị sử dụng nước khử ion làm dung môi pha loãng.

Chất hoạt động bề mặt được chia thành chất hoạt động bề mặt anion, chất hoạt động bề mặt cation, chất hoạt động bề mặt không ion và chất hoạt động bề mặt hỗn hợp. Các chất hoạt động bề mặt anion phổ biến là Natri dodecyl sunfat (SDS), Natri dodecylbenzensulfonate (SDBS), hexadecyl trimethyl Ammonium bromide (CTAB), v.v.

Với sự phát triển của công nghệ mạch tích hợp (IC), việc mở rộng các bóng bán dẫn hiệu ứng trường bán dẫn oxit kim loại dựa trên silicon (MOS) đang tiếp cận các giới hạn vật lý cơ bản của chúng. Nantubes carbon (CNT) được coi là vật liệu đầy hứa hẹn trong kỷ nguyên sau silicon do độ dày nguyên tử và tính chất điện độc đáo của chúng, với khả năng cải thiện hiệu suất bóng bán dẫn trong khi giảm mức tiêu thụ điện năng. Độ tinh khiết cao của ống nano carbon (A-CNT) là một lựa chọn lý tưởng để lái IC tiên tiến do mật độ dòng điện cao của chúng. Tuy nhiên, khi chiều dài kênh (LCH) giảm xuống dưới 30nm, hiệu suất của một cổng đơn (SG) A-CNT FET giảm đáng kể, chủ yếu biểu hiện là đặc điểm chuyển đổi giảm dần và tăng dòng rò. Bài viết này nhằm mục đích tiết lộ cơ chế suy thoái hiệu suất trong A-CNT FET thông qua nghiên cứu lý thuyết và thử nghiệm, và đề xuất các giải pháp.