Trung Quốc Dung dịch phân tán Zirconia Nhà sản xuất, Nhà cung cấp, Nhà máy

Sự kết hợp giữa công nghệ nano và kỹ thuật dệt đã dẫn đến sự phát triển và cải thiện hiệu suất của vật liệu thông minh đa chức năng trong các lĩnh vực ứng dụng khác nhau. Một bước đột phá gần đây là tổng hợp một bước dung dịch phun phun AgNPs/CNT, dung dịch này được sử dụng để neo các hạt nano bạc trên các ống nano cacbon nhiều vách và áp dụng chúng lên vải không dệt để tạo ra loại vải dệt thông minh đa chức năng.

Hội nghị Vành đai Thái Bình Dương lần thứ 15 về Công nghệ Gốm sứ và Thủy tinh (PACRIM15) và Hội nghị Quốc tế lần thứ 13 về Gốm sứ Tiên tiến (CICC-13) dự kiến ​​sẽ diễn ra từ ngày 5 đến ngày 9 tháng 11 năm 2023 tại Thâm Quyến. Chuỗi hội thảo học thuật quốc tế này được khởi xướng bởi các hiệp hội gốm sứ đến từ các quốc gia thuộc vành đai Thái Bình Dương như Trung Quốc, Hoa Kỳ, Nhật Bản, Hàn Quốc và Úc. Kể từ hội nghị đầu tiên vào năm 1993, nó đã phát triển thành một sự kiện nổi tiếng thế giới dành cho những người đam mê gốm sứ.

Các loại bột thích hợp để sử dụng làm chất bôi trơn có thể khác nhau tùy thuộc vào ứng dụng và yêu cầu cụ thể. Sau đây là một số loại bột phổ biến thích hợp dùng làm chất bôi trơn:

​Bột SnO2 cỡ nano là vật liệu tiên tiến với nhiều đặc tính linh hoạt khiến nó trở thành một triển vọng thú vị để sử dụng trong nhiều ứng dụng đa dạng. Trong bài đăng trên blog này, chúng tôi sẽ thảo luận về tiềm năng của vật liệu này và tác động có thể có của nó đối với các công nghệ mới nổi.

Điều trị nhiệt là một bước quan trọng trong quá trình đăng ký in 3D. Cho đến nay, bất kể quá trình in 3D nào được sử dụng, nó liên quan đến một số phương pháp ở các mức độ khác nhau, chẳng hạn như làm sạch bột, ủ, bảo dưỡng bài, không được hỗ trợ, đánh bóng, thổi cát và tô màu. Xử lý nhiệt cũng là một bước quan trọng trong quá trình ứng dụng của các bộ phận in 3D và có thể có nhiều hình thức khác nhau tùy thuộc vào kết quả dự kiến, vật liệu được sử dụng và công nghệ ưa thích.

Với sự phát triển của công nghệ mạch tích hợp (IC), việc mở rộng các bóng bán dẫn hiệu ứng trường bán dẫn oxit kim loại dựa trên silicon (MOS) đang tiếp cận các giới hạn vật lý cơ bản của chúng. Nantubes carbon (CNT) được coi là vật liệu đầy hứa hẹn trong kỷ nguyên sau silicon do độ dày nguyên tử và tính chất điện độc đáo của chúng, với khả năng cải thiện hiệu suất bóng bán dẫn trong khi giảm mức tiêu thụ điện năng. Độ tinh khiết cao của ống nano carbon (A-CNT) là một lựa chọn lý tưởng để lái IC tiên tiến do mật độ dòng điện cao của chúng. Tuy nhiên, khi chiều dài kênh (LCH) giảm xuống dưới 30nm, hiệu suất của một cổng đơn (SG) A-CNT FET giảm đáng kể, chủ yếu biểu hiện là đặc điểm chuyển đổi giảm dần và tăng dòng rò. Bài viết này nhằm mục đích tiết lộ cơ chế suy thoái hiệu suất trong A-CNT FET thông qua nghiên cứu lý thuyết và thử nghiệm, và đề xuất các giải pháp.