Cấu trúc vật liệu và phân tích thành phần
1. Áp dụng nhiễu xạ tia X (XRD): Phân tích cấu trúc tinh thể, các tham số mạng và quá trình chuyển pha của vật liệu điện cực dương và âm. Trường hợp: Xác định xem cấu trúc lớp của lithium coban oxit (LCO) có sụp đổ hay không, hoặc liệu liệu lithium sắt phosphate (LFP) có tạo ra các pha tạp chất hay không.
2. Kính hiển vi điện tử quét (SEM) và kính hiển vi điện tử truyền qua (TEM) được sử dụng để quan sát hình thái vật liệu (kích thước hạt, tính đồng nhất hình thái), lớp phủ bề mặt và cấu trúc vi mô của giao diện điện cực. Ứng dụng nâng cấp: Kết hợp quang phổ phân tán năng lượng (EDS) để phân tích phân phối nguyên tố, chẳng hạn như phát hiện tính đồng nhất phân tán của các hạt silicon trong các điện cực âm carbon silicon.
3. Sử dụng quang phổ quang điện tử tia X (XPS): Để mô tả trạng thái hóa học của bề mặt vật liệu (như thành phần của các sản phẩm phân hủy điện phân) và tiết lộ thành phần của màng SEI (mặt nạ mặt điện phân rắn)
Kiểm tra hiệu suất điện hóa
1. Áp dụng vôn kế tuần hoàn (CV): nghiên cứu tiềm năng oxi hóa khử, khả năng đảo ngược và đặc điểm động học của các phản ứng điện cực. Kịch bản điển hình: Đánh giá tính ổn định của khử lithium trong vật liệu ternary niken cao (NCM811).
2. Áp dụng quang phổ trở kháng điện hóa (EIS): Phân tích các nguồn trở kháng bên trong của pin (trở kháng giao diện, trở kháng chuyển điện tích, v.v.), tối ưu hóa các công thức điện phân hoặc thiết kế điện cực.
3. Mục đích kiểm tra điện tích và phóng điện không đổi: Để đo các chỉ số hiệu suất cốt lõi như công suất, hiệu quả Coulombic và tuổi thọ chu kỳ.
Giao diện và phân tích quy trình động
1. Sự kết hợp công nghệ đặc trưng tại chỗ: tại chỗ XRD, Raman tại chỗ, TEM tại chỗ, v.v ... Giá trị: Quan sát thời gian thực về tiến hóa cấu trúc vật liệu trong quá trình điện tích và phóng điện, chẳng hạn như cơ chế mở rộng thể tích của các điện cực âm silicon.
2. Áp dụng kính hiển vi lực nguyên tử (AFM): Phân tích độ nhám bề mặt và thay đổi tính chất cơ học của điện cực, và nghiên cứu hành vi tăng trưởng của đuôi gai lithium.
3. Áp dụng cộng hưởng từ hạt nhân (NMR): để phát hiện tốc độ di chuyển và cấu trúc hòa tan của các ion lithium trong chất điện phân và để hướng dẫn sự phát triển của chất điện phân mới.
Sự ổn định nhiệt và đánh giá an toàn
1. Ứng dụng đo nhiệt lượng quét vi sai (DSC): Phân tích điểm nhiệt độ của vật liệu Runaway và đánh giá nguy cơ phản ứng nhiệt giữa các vật liệu điện cực dương (như NCM) và chất điện phân.
2. Áp dụng nhiệt lượng kế tăng tốc đáng tin cậy (ARC): Mô phỏng quá trình chạy nhiệt của pin, định lượng tốc độ phát nhiệt và nhiệt độ tới hạn và tối ưu hóa thiết kế an toàn pin.
Các biện pháp quan trọng khác
Quang phổ Raman: Phát hiện mức độ thành phần màng và màng SEI của các điện cực âm than chì;
Công nghệ phổ khối: Phân tích các thành phần khí được sản xuất bởi sự phân hủy điện phân (như CO, HF);
Nhiễu xạ neutron: Xác định vị trí chính xác sự phân bố của các yếu tố ánh sáng (như ion lithium) trong vật liệu.
Sat Nano là nhà cung cấp tốt nhất củaBột siliconĐối với pin, chúng tôi có kích thước hạt 50nm, 100nm, 200nm và Mirco, nếu bạn có bất kỳ yêu cầu nào, xin vui lòng liên hệ với chúng tôi tại sales03@satnano.com
